Samsung începe producția în masă a primei unități DRAM de 10nm

Samsung Electronics Co., Ltd., lider global în tehnologia memoriilor avansate, a anunțat producția în masă a primelor unități DRAM DDR4, de 10nm*, cu memoria de 8GB, și a modulelor derivate. DDR4 devine rapid cel mai răspândit tip de memorie produsă pentru computere și rețele IT, iar cele mai noi inovații Samsung vor accelera adopția produselor DDR4 în industria IT.

Samsung a reuşit sa dezvolte unitățile DRAM de 10 nm pentru prima dată în industrie, după ce a depășit provocările tehnice de scalare DRAM. Aceste provocări au fost depășite folosind tehnica litografiei cu ArF (fluorură de argon) prin imersie care nu are nevoie de echipament EUV (ultraviolete extreme).

Lansarea unităţii DRAM de 10nm(1x) marchează o nouă etapă de inovaţie pentru Samsung pe piața memoriilor avansate, la fel cum a fost şi introducerea modelului DRAM DDR3 de 4Gb, 20nm**, din 2014.

„Samsung DRAM cu arhitectură pe 10nm va permite cel mai înalt nivel de eficienţă a investiţiilor in sistemele IT, devenind astfel un nou motor de creștere pentru industria de memorii la nivel global,” a declarat Young-Hyun Jun, președinte al Memory Business, Samsung Electronics. „În viitorul apropiat, vom lansa noi produse ce integrează tehnologia mobilă DRAM de 10nm cu densități înalte, pentru a ajuta producătorii de telefoane mobile să dezvolte dispozitive și mai inovatoare.”

Memoria de top Samsung DDR4 DRAM de 10nm şi 8Gb este cu 30% mai eficientă decât memoriile DDR4 DRAM de 20nm și 8Gb.

Noul DRAM suportă o rată a transferului de date de 3.200 Mbps, fiind cu peste 30% mai rapid decât rata de 2.400 Mbps a memoriei DDR4 DRAM de 20nm. De asemenea, noile module din cipurile DRAM de 10nm consumă cu 10%-20% mai puțină energie, comparativ cu același model de 20nm. Aceste inovaţii conduc la eficientizarea noilor sisteme de calcul de înaltă performanță și ale rețelor din companii. În plus, vor putea fi folosite și pentru computere personale și servere.

Primul model DRAM de 10nm din industrie este rezultatul inovaţiilor tehnologice dezvoltate de Samsung pe piața memoriilor avansate. Pentru a atinge maximul de eficiență de scalare a unităţii DRAM, Samsung a venit cu o tehnologie de ultimă generaţie, mai avansată decât cea folosită pentru modelele DRAM de 20nm. Astfel, au fost îmbunătățite tehnologia de proiectare a celulelor proprietare, tehnologia de litografiere QPT (cvadrublă de aplicare a modelelor litografice)*** și straturile dielectrice ultra-subțiri****.

Spre deosebire de memoriile flash NAND, în care o singură celulă este compusă doar dintr-un tranzistor, fiecare celulă DRAM necesită un condensator și un tranzistor, care trebuie conectate, de obicei având condensatorul plasat deasupra tranzistorului. Mai mult, pentru noile memorii DRAM cu arhitectură pe 10 nm, o altă dificultate a fost reprezentată de nevoia de a stivui condensatori cilindrici de dimensiuni reduse şi care stochează sarcini electrice mari, deasupra mai multor tranzistori nanometrici, creând mai mult de opt miliarde de celule.

În plus, utilizarea tehnologiei straturilor dielectrice rafinate permite îmbunătățiri ale performanțelor pentru memoria DRAM de 10nm. Pe condensatorii din celule au fost aplicate straturi dielectrice ultra-subțiri și uniforme de dimensiunea unui angstrom cu o singură cifră, rezultând în suficientă capacitanță pentru performanța celulelor.

De asemenea Samsung lucrează la introducerea unei soluții mobile DRAM de 10nm cu densitate mare și viteză crescută în acest an, aceasta urmând să consolideze poziția de lider a companiei pe piața smartphone-urilor ultra-HD.

Prin introducerea unei game largi de module DDR4 de 10nm, având de la capacitatea de 4GB pentru laptopuri sau PC până la 128GB pentru serverele întreprinderilor, Samsung își va extinde portofoliul memoriilor DRAM pe parcursul anului.

București, 12 aprilie 2016 – Samsung Electronics Co., Ltd

Views: 0